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晶粒邊界到晶粒的電位陡降發(fā)生在≈５０￣１００ｎｍ　的距離內(nèi)，稱為耗盡層。這樣， 在每個(gè)晶粒邊界處都存在晶粒邊界向兩側(cè)延展入相鄰晶粒 的耗盡層。晶粒間存在耗盡層提高了壓敏電阻的作用。 晶粒邊界兩側(cè)兩個(gè)耗盡層的存在，使得　 ＺｎＯ　 壓敏電 阻對(duì)極性變化不敏感。在這一方面，壓敏電阻像一個(gè)背對(duì) 背的二極管。進(jìn)一步說，由于晶粒邊界附近區(qū)域的電子被 耗盡，當(dāng)施加外電壓時(shí)，跨在晶粒邊界上出現(xiàn)一電壓降。 這被稱作勢(shì)壘電勢(shì)，一般是≈２￣４Ｖ／（每晶粒邊界）。

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氧化鋅壓敏電阻器的參數(shù)選擇

根據(jù)被保護(hù)電源電壓選擇壓敏電阻器的規(guī)定電流下的電壓V1mA。一般選擇原則為：

對(duì)于直流回路：V1mA≥2.0VDC

對(duì)于交流回路：V1mA≥2.2V有效值

如果電器設(shè)備耐壓水平Vo較低，而浪涌能量又比較大，則可選擇壓敏電壓V1mA較低、片徑較大的壓敏電阻器；如果Vo較高，則可選擇壓敏電壓V1mA較高的壓敏電阻器，這樣既可以保護(hù)電器設(shè)備，又能延長(zhǎng)壓敏電阻使用壽命。

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ZnO晶相位于晶粒體內(nèi)，為低電阻率的半導(dǎo)體，對(duì)大電流特性有決定性作用。ZnO半導(dǎo)化的原因主要是氧不足導(dǎo)致的非化學(xué)計(jì)量比和施主摻雜，有大量的導(dǎo)電電子存在，為n型半導(dǎo)體。富鉍相，約在750℃形成12/14 Bi2O3

·Cr2O3 ，溫度低于850℃參與形成焦綠石相，超過850℃后從焦綠石相中分離出來，生成含

Cr的富鉍相，含有尖晶石相和Zn，隨著溫度的升高，Cr逐步移到尖晶石相中。

Cr有穩(wěn)定尖晶石相的作用，高溫冷卻時(shí)，可以阻止生成焦綠石相。 焦綠石相700-900℃時(shí)形成，850℃時(shí)達(dá)到峰值，約950℃時(shí)消失，

反應(yīng)式如下

2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3

由于壓敏電阻型號(hào)太多，篇幅有限，恕不一一呈現(xiàn)，欲知詳請(qǐng)，歡迎撥打圖片中的咨詢電話與我們源林電子聯(lián)系，謝謝！

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